双环快速瞬态响应无片外电容LDO，电路-版图-文档
发货内容：
1、工程文件+PDK（SMIC180ee）
2、配套的文档解析6页，有详细的理论分析，仿真结果说明。
没有参数计算部分，有部分的仿真状态
1、基于 180 nm CMOS 工艺设计了一款双环快速瞬态响应的无片外电容 LDO。
2、该 LDO 采用极点分裂技术，以保证在不同负载电流情况下的稳定性，
3、通过瞬态增强电路检测输出电压的波动来为功率管栅极提供额外充、放电电路，以减小系统的过冲电压。
4、在传统模拟环路的基础上增加了数字辅助环路，以提升 LDO 的最大负载电流。
5、仿真结果表明，当电源电压为 1.8 V，输出电压为1.5 V，该 LDO 负载电流最大值为 275 mA，空载静态电流为 39 μA。
6、负载电流 1～250 mA 在 1 μs 的时间跳变时，上冲电压为 66 mV，下冲电压为 77 mV。
7、结果表明 LDO 的带载能力、瞬态响应性能在双环路加持下得到显著提升。
YID:9501001692043162
彭水宋德迁
